M10 MBB, N-Type TopCon 108 half cells 420W-435W ໂມດູນແສງຕາເວັນກອບສີດຳ
ການຜະລິດພະລັງງານສູງສຸດ / ປະສິດທິພາບສູງສຸດ
ປັບປຸງຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື
ຝາລຸ່ມ / LETID
ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ສູງ
ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມທີ່ດີທີ່ສຸດ
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການຕ່ໍາ
ການເຊື່ອມໂຊມທີ່ດີທີ່ສຸດ
ປະສິດທິພາບແສງສະຫວ່າງຕ່ໍາທີ່ໂດດເດັ່ນ
ການຕໍ່ຕ້ານ PID ພິເສດ
| ເຊລ | ໂມໂນ 182*91mm |
| ຈໍານວນຈຸລັງ | 108(6×18) |
| ລະດັບພະລັງງານສູງສຸດ (Pmax) | 420W-435W |
| ປະສິດທິພາບສູງສຸດ | 21.5-22.3% |
| Junction Box | IP68,3 diodes |
| ແຮງດັນສູງສຸດຂອງລະບົບ | 1000V / 1500V DC |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານ | -40℃～+85℃ |
| ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ | MC4 |
| ຂະໜາດ | 1722*1134*30ມມ |
| No.of one 20GP container | 396PCS |
| No.of one 40HQ container | 936 PCS |
ການຮັບປະກັນ 12 ປີສໍາລັບວັດສະດຸແລະການປຸງແຕ່ງ;
ການຮັບປະກັນ 30 ປີສໍາລັບຜົນຜະລິດພະລັງງານເສັ້ນພິເສດ.
* ສາຍການຜະລິດແບບອັດຕະໂນມັດແບບພິເສດແລະຜູ້ສະຫນອງວັດຖຸດິບຍີ່ຫໍ້ຊັ້ນຫນຶ່ງຮັບປະກັນວ່າແຜງແສງຕາເວັນມີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຫຼາຍຂຶ້ນ.
* ທຸກຊຸດຂອງແຜງແສງຕາເວັນໄດ້ຜ່ານ TUV, CE, CQC, ISO, UNI9177- Fire Class 1 ການຢັ້ງຢືນຄຸນນະພາບ.
* Advanced Half-cells, MBB ແລະ PERC solar cell technology, ປະສິດທິພາບຂອງແຜງແສງອາທິດທີ່ສູງຂຶ້ນແລະຜົນປະໂຫຍດທາງດ້ານເສດຖະກິດ.
* ຄຸນນະພາບເກຣດ A, ລາຄາເປັນກັນເອງ, ອາຍຸການໃຊ້ງານໄດ້ດົນກວ່າ 30 ປີ.
ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນລະບົບ PV ທີ່ຢູ່ອາໄສ, ລະບົບ PV ການຄ້າແລະອຸດສາຫະກໍາ, ລະບົບ PV ຂະຫນາດຜົນປະໂຫຍດ, ລະບົບການເກັບຮັກສາພະລັງງານແສງຕາເວັນ, ປັ໊ມນ້ໍາແສງຕາເວັນ, ລະບົບແສງຕາເວັນໃນເຮືອນ, ຕິດຕາມກວດກາແສງຕາເວັນ, ໄຟຖະຫນົນແສງຕາເວັນ, ແລະອື່ນໆ.
ພະລັງງານແສງຕາເວັນແມ່ນແຫຼ່ງພະລັງງານທົດແທນທີ່ສາມາດນໍາໃຊ້ເພື່ອຜະລິດໄຟຟ້າໂດຍຜ່ານຈຸລັງ photovoltaic (PV).ຈຸລັງ photovoltaic ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນເຮັດດ້ວຍຊິລິໂຄນ, ເປັນ semiconductor.Silicon ແມ່ນ doped ກັບ impurities ເພື່ອສ້າງສອງປະເພດຂອງ semiconductor: n-type ແລະ p-type.ວັດສະດຸສອງປະເພດນີ້ມີຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ພວກມັນເຫມາະສົມກັບການນໍາໃຊ້ທີ່ແຕກຕ່າງກັນໃນການຜະລິດພະລັງງານແສງຕາເວັນ.
ໃນຈຸລັງ PV N-type, ຊິລິໂຄນຖືກ doped ກັບ impurities ເຊັ່ນ phosphorus, ເຊິ່ງບໍລິຈາກເອເລັກໂຕຣນິກເກີນກັບວັດສະດຸ.ອິເລັກໂທຣນິກເຫຼົ່ານີ້ສາມາດເຄື່ອນຍ້າຍໄດ້ຢ່າງເສລີພາຍໃນວັດສະດຸ, ສ້າງເປັນຄ່າລົບ.ໃນເວລາທີ່ພະລັງງານແສງສະຫວ່າງຈາກແສງຕາເວັນຕົກຢູ່ໃນຈຸລັງ photovoltaic, ມັນຖືກດູດຊຶມໂດຍອະຕອມຂອງຊິລິໂຄນ, ການສ້າງຄູ່ electron-hole.ຄູ່ເຫຼົ່ານີ້ຖືກແຍກອອກໂດຍສະຫນາມໄຟຟ້າພາຍໃນຈຸລັງ photovoltaic, ເຊິ່ງ pushes ເອເລັກໂຕຣນິກໄປສູ່ຊັ້ນ n-type.
ໃນຈຸລັງ photovoltaic p-type, silicon ແມ່ນ doped ກັບ impurities ເຊັ່ນ boron, ເຊິ່ງ starve ວັດສະດຸຂອງເອເລັກໂຕຣນິກ.ນີ້ສ້າງຄ່າບໍລິການໃນທາງບວກ, ຫຼືຮູ, ທີ່ສາມາດເຄື່ອນຍ້າຍປະມານວັດສະດຸ.ເມື່ອພະລັງງານແສງສະຫວ່າງຕົກຢູ່ໃນເຊນ PV, ມັນຈະສ້າງຄູ່ electron-hole, ແຕ່ເວລານີ້ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າຈະຍູ້ຮູໄປຫາຊັ້ນ p-type.
ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງຈຸລັງ photovoltaic n-type ແລະ p-type ແມ່ນວິທີທີ່ສອງປະເພດຂອງຜູ້ບັນທຸກ (ເອເລັກໂຕຣນິກແລະຮູ) ໄຫຼພາຍໃນຫ້ອງ.ໃນຈຸລັງ PV ປະເພດ n, ເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຮູບຖ່າຍໄຫຼໄປສູ່ຊັ້ນ n-type ແລະຖືກລວບລວມໂດຍການຕິດຕໍ່ໂລຫະຢູ່ດ້ານຫລັງຂອງເຊນ.ແທນທີ່ຈະ, ຮູທີ່ຜະລິດໄດ້ຖືກຍູ້ໄປສູ່ຊັ້ນ p-type ແລະໄຫຼໄປສູ່ການຕິດຕໍ່ໂລຫະຢູ່ດ້ານຫນ້າຂອງເຊນ.ກົງກັນຂ້າມແມ່ນຄວາມຈິງສໍາລັບຈຸລັງ PV ປະເພດ p, ບ່ອນທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກໄຫຼໄປສູ່ການຕິດຕໍ່ໂລຫະຢູ່ດ້ານຫນ້າຂອງເຊນແລະຮູໄຫຼໄປດ້ານຫລັງ.
ຫນຶ່ງໃນຂໍ້ໄດ້ປຽບຕົ້ນຕໍຂອງຈຸລັງ PV ປະເພດ n ແມ່ນປະສິດທິພາບສູງຂອງພວກເຂົາເມື່ອທຽບກັບຈຸລັງ p-type.ເນື່ອງຈາກການເກີນຂອງອິເລັກຕອນໃນວັດສະດຸ n-type, ມັນງ່າຍທີ່ຈະປະກອບເປັນຄູ່ electron-hole ເມື່ອດູດພະລັງງານແສງສະຫວ່າງ.ນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ມີກະແສໄຟຟ້າຫຼາຍຂື້ນພາຍໃນຫມໍ້ໄຟ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ຜົນຜະລິດພະລັງງານສູງຂຶ້ນ.ນອກຈາກນັ້ນ, ຈຸລັງ photovoltaic n-type ແມ່ນຫນ້ອຍທີ່ມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການເຊື່ອມໂຊມຈາກ impurities, ສົ່ງຜົນໃຫ້ອາຍຸຍືນຍາວແລະການຜະລິດພະລັງງານທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຫຼາຍ.
ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ຈຸລັງ photovoltaic P-type ມັກຈະຖືກເລືອກສໍາລັບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍວັດສະດຸຕ່ໍາ.ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ຊິລິໂຄນ doped ກັບ boron ແມ່ນລາຄາແພງຫນ້ອຍກ່ວາຊິລິໂຄນ doped ກັບ phosphorus.ນີ້ເຮັດໃຫ້ຈຸລັງ photovoltaic p-type ເປັນທາງເລືອກທີ່ປະຫຍັດກວ່າສໍາລັບການຜະລິດແສງຕາເວັນຂະຫນາດໃຫຍ່ທີ່ຕ້ອງການວັດສະດຸຈໍານວນຫລາຍ.
ສະຫຼຸບສັງລວມ, ຈຸລັງ photovoltaic n-type ແລະ p-type ມີລັກສະນະໄຟຟ້າທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ພວກມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ແຕກຕ່າງກັນໃນການຜະລິດພະລັງງານແສງຕາເວັນ.ໃນຂະນະທີ່ຈຸລັງ n-type ມີປະສິດທິພາບແລະເຊື່ອຖືໄດ້, ຈຸລັງ p-type ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນມີລາຄາຖືກກວ່າ.ທາງເລືອກຂອງສອງຈຸລັງແສງຕາເວັນນີ້ແມ່ນຂຶ້ນກັບຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ, ລວມທັງປະສິດທິພາບທີ່ຕ້ອງການແລະງົບປະມານທີ່ມີຢູ່.
